[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-17] Implantation of Mg ion into GaN substrate on a channeling condition

〇Tomoaki Nishimura¹, Kiyoji Ikeda¹, Tohru Nakamura¹, Tetsu Kachi² (1.Hosei Univ., 2.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, ion implantation

180 keV Mgを自立GaN基板に対しランダム入射条件とチャネリング入射条件で1×10¹⁴ cm^-2注入し、活性化アニールした試料をSIMS, PL, CL等で分析した。ランダム入射条件ではアニール前後でほぼMgの分布が変化せず～0.17μmにピークを持っている。一方チャネリング入射条件では～0.3μmにピークを持っていた。この分布はアニール後にはおおよそ10μm程度まで広がり、注入されたMgが熱処理によって拡散していることを示している。