[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-19] Ar⁺イオン照射により生成するp型GaNの電気的ダメージ評価

〇中野 由崇¹、豊留 彬¹ (1.中部大工)

キーワード：p型GaN、Arプラズマ、電気的ダメージ

本発表では、直流グロー放電によりAr⁺イオンを照射したp型GaN膜にショットキーダイオードを作製し、C-V法と光容量過渡分光法を用いて電気的ダメージ評価を行ったので報告する。Ar⁺イオン照射により、有効アクセプター濃度|Na-Nd|が膜表面では大きく減少し、膜内部では大きく増加する傾向を示し、Ar⁺イオン照射時間が増加する程Mgアクセプターが内方拡散していることが分かった。また、Ar⁺イオン照射により価電子帯上~2.0eV, ~3.2eV付近に存在する2つの欠陥準位が顕在化することが分かった。これらの準位はそれぞれV_Ga-Hn, Mg-V_Nであると推測される。