[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-21] 水素イオン注入n-GaNに誘起された正孔トラップの熱処理効果

〇(M2)伊藤 俊¹、徳田 豊¹、塩島 謙次²、伊藤 成志³、八木 孝秀³ (1.愛知工大、2.福井大院、3.住重アテックス)

キーワード：MCTS、イオン注入

水素イオン注入n-GaNの熱処理効果について、MCTS測定により検討した。用いた試料は、GaN基板上MOVPE n-GaNである。注入量は10¹³ cm^-2 ある。水素イオン注入後には、H1トラップより長い正孔放出時定数をもつH0トラップが観測された。H0トラップは、200°C熱処理からMCTS信号のピーク値の減少と高時定数側へのシフトがみられた。ピーク値から求めたH0トラップ濃度は、300°C熱処理後では1/3まで減少した。現在、さらに高温での等時熱処理の測定を行っている。