[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-22] p型GaN上に形成したAu/Ni電極の熱処理による低接触抵抗化

〇(M2)畔柳 壮¹、近藤 孝明¹、安野 聡²、小金澤 智之²、岩田 直高¹ (1.豊田工業大学大学院工学研究科、2.高輝度光科学研究センター)

キーワード：p型GaN、Au/Ni、接触抵抗

Au(10nm)/Ni(10nm)電極をp型GaN層上に形成し、熱処理による接触抵抗値、表面状態と金属-半導体界面の状態を調べた。熱処理の条件は、520℃から670℃まで2分30秒間、N₂雰囲気である。接触抵抗は円形伝送線路モデルで評価した。界面構造評価では硬X線光電子分光を用いた。処理温度の上昇に伴って接触抵抗は低下し、640℃以上では表面荒れが顕著であった。610℃の処理で3Ω･cm²の接触抵抗と良好な表面状態が得られ、界面ではNi酸化物が形成された。