[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-23] Impact of Photolithography Development Process on GaN Schottky Barrier Diode

〇Kazuki Isobe¹, Akazawa Masamichi¹ (1.RCIQE,Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, Schottky Barrier Diode, surface

GaNを用いたショットキー障壁ダイオードは、パワーエレクトロニクス素子として有用である。障壁高が金属の仕事関数やGaNの表面処理によりどのように変化するかを知ることにより、デバイス設計の自由度拡大につながる可能性がある。フォトリソグラフィー工程において、TMAHを主成分とする現像液がしばしば用いられるが、この溶液にはエッチング能力があるので注意が必要である。本研究においては、フォトリソグラフィー工程における現像液浸漬が、ショットキー障壁高の金属仕事関数依存性にどのような影響を与えるかについて調べ報告する。