[19p-PB3-1~24] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-PB3-24] Reduction of radiated emission from resonance coil in GaN wireless power transmission

〇Toshihide Ide^1,3, Nobuyoshi Imaoka², Mikio Oomori³, Kimihiro Ozaki², Mitsuaki Shimizu¹, Noriyuki Takada³ (1.NU-AIST GaN-OIL, 2.AIST MagMet, 3.AIST ESPRIT)

Keywords:GaN, Wireless Power Transmission, Radiated Emission

GaNデバイスを用いた非接触給電回路（WPT）はGaNデバイスの優れた特性により高周波化・高出力化が期待できる。一方、GaN非接触給電回路の高周波化＆小型化にはGaNデバイスのみならず受動部品の高周波化が欠かせない。これまではMHz以上の高周波で特性に優れた磁性材料が無かったが、我々はNd-Fe-N材料が有用であることを示した。今回は、Nd-Fe-N系材料をGaN非接触給電回路の共振コイルの磁心としてのみでなく、漏洩電磁界の抑制に用いたので報告する。