[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-23] GaNショットキー障壁ダイオードに対するフォトリソグラフィー現像工程の影響

〇磯部 一輝¹、赤澤 正道¹ (1.北大量集センター)

キーワード：窒化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、表面

GaNを用いたショットキー障壁ダイオードは、パワーエレクトロニクス素子として有用である。障壁高が金属の仕事関数やGaNの表面処理によりどのように変化するかを知ることにより、デバイス設計の自由度拡大につながる可能性がある。フォトリソグラフィー工程において、TMAHを主成分とする現像液がしばしば用いられるが、この溶液にはエッチング能力があるので注意が必要である。本研究においては、フォトリソグラフィー工程における現像液浸漬が、ショットキー障壁高の金属仕事関数依存性にどのような影響を与えるかについて調べ報告する。