[19p-PB3-1~24] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-PB3-24] GaN-WPTにおけるNd-Fe-N付コイルによる放射電磁界の抑制

〇井手 利英^1,3、今岡 伸嘉²、大森 幹夫³、尾崎 公洋²、清水 三聡¹、高田 徳幸³ (1.産総研 GaN-OIL、2.産総研 磁性粉末冶金、3.産総研 電子光)

キーワード：GaN、非接触給電、放射電磁界

GaNデバイスを用いた非接触給電回路（WPT）はGaNデバイスの優れた特性により高周波化・高出力化が期待できる。一方、GaN非接触給電回路の高周波化＆小型化にはGaNデバイスのみならず受動部品の高周波化が欠かせない。これまではMHz以上の高周波で特性に優れた磁性材料が無かったが、我々はNd-Fe-N材料が有用であることを示した。今回は、Nd-Fe-N系材料をGaN非接触給電回路の共振コイルの磁心としてのみでなく、漏洩電磁界の抑制に用いたので報告する。