[19p-PB4-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[19p-PB4-1] Analysis of Solution Structure in Solution growth of SiC with Na flux

〇Takuro Murata¹, Takahiro Kawamura¹ (1.Mie Univ.)

Keywords:SiC, Na flux, first-principles calculation

溶液成長法は転位の少ない高品質なSiC結晶成長法として期待されている．各種溶媒が用いられているが，ナトリウムを使用すると低温での結晶成長が可能であると報告されている．Naフラックスを用いたSiC溶液成長の実現性について検討するため，本研究では第一原理計算を用いてC原子を含んだSi-Na溶液のシミュレーションを行い，C原子の結合状態を調べた．