[19p-PB4-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-PB4-2] 界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価

〇塩島 謙次¹、松田 稜¹、加藤 正史² (1.福井大院工、2.名工大)

キーワード：SiC、ショットキー接触、界面顕微光応答法

p形6H-SiCウエハーの存在する典型的な構造欠陥を界面顕微光応答法により評価したので報告する。電極面内にいくつかの凹状の結晶欠陥が観察された。波長659 nmの光電流像は均一であり、波長405 nmのY像では欠陥に対応したパターンが得られた。この波長ではSiCの基礎吸収を伴って光電流が発生するため、結晶欠陥の影響を大きく受けたものと思われる。