[19p-PB4-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[19p-PB4-4] Thermal Oxidation of 4H-SiC Surface at Lower Temperature: A Difference between Si and C Faces

〇Haruto Koriyama¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:SiC surface, thermal oxidation, XPS

SiC表面の熱酸化反応は、MOS-FETデバイス等の重要性から精力的に研究されている。これまでの研究では、酸化温度は1000℃以上の比較的高温であり、1000℃以下の低温での熱酸化反応はあまり研究されていない。そこで本研究では、300℃から900℃の比較的低温でSiC表面の熱酸化を行い、X線光電子分光（XPS）により酸化速度を測定した。従来報告されているSi面とC面での酸化速度の差異に関し、低温領域での結果を報告する。