[19p-PB4-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-PB4-4] 4H-SiC表面の低温熱酸化：Si面とC面の差異

〇郡山 春人¹、遠田 義晴¹ (1.弘前大院理工)

キーワード：SiC表面、熱酸化、XPS

SiC表面の熱酸化反応は、MOS-FETデバイス等の重要性から精力的に研究されている。これまでの研究では、酸化温度は1000℃以上の比較的高温であり、1000℃以下の低温での熱酸化反応はあまり研究されていない。そこで本研究では、300℃から900℃の比較的低温でSiC表面の熱酸化を行い、X線光電子分光（XPS）により酸化速度を測定した。従来報告されているSi面とC面での酸化速度の差異に関し、低温領域での結果を報告する。