[19p-PB4-1~8] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[19p-PB4-6] Distinguishing nitrogen-containing sites in SiO₂/SiC by X-ray absorption spectroscopy

〇Noritake Isomura¹, Keita Kataoka¹, Yukihiko Watanabe¹, Yasuji Kimoto¹ (1.Toyota CRDL)

Keywords:silicon carbide, interface structure, nitrogen

SiCパワーデバイスにおいて、ゲート絶縁膜(SiO₂)/SiC界面の原子構造は電気特性への影響が大き
い。一酸化窒素(NO)雰囲気中での熱処理によって、移動度などの特性改善が図られる。この熱処
理により窒素が界面に導入され、その状態が窒化物であることはわかっているが、電気特性との
相関を紐づけるサイトの特定には至っていない。そこで、原子構造に敏感なX線吸収分光測定を適
用した。理論計算を用いたスペクトル解析によって、窒素サイトを特定することに成功した。