[19p-PB4-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-PB4-6] X線吸収分光による4H-SiC（m面）表面に導入された窒素の局所構造解析

〇磯村 典武¹、片岡 恵太¹、渡辺 行彦¹、木本 康司¹ (1.豊田中研)

キーワード：炭化ケイ素、界面構造、窒素

SiCパワーデバイスにおいて、ゲート絶縁膜(SiO₂)/SiC界面の原子構造は電気特性への影響が大き
い。一酸化窒素(NO)雰囲気中での熱処理によって、移動度などの特性改善が図られる。この熱処
理により窒素が界面に導入され、その状態が窒化物であることはわかっているが、電気特性との
相関を紐づけるサイトの特定には至っていない。そこで、原子構造に敏感なX線吸収分光測定を適
用した。理論計算を用いたスペクトル解析によって、窒素サイトを特定することに成功した。