[19p-PB4-1~8] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-PB4-8] ノーマリーオフ型4H-SiC JFETのガンマ線照射効果

〇武山 昭憲¹、清水 奎吾²、牧野 高紘¹、山﨑 雄一¹、大島 武¹、黒木 伸一郎³、田中 保宣² (1.量研、2.産総研、3.広島大学ナノデバイス)

キーワード：炭化ケイ素、接合型電界効果トランジスタ、ガンマ線照射

ノーマリーオフ型炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET)に室温にて⁶⁰Coガンマ線を照射し、ドレイン電流－ゲート電圧(I_D-V_G)特性からしきい値電圧(V_th)および相互コンダクタンス(g_m)を求めた。照射前後でI_D-V_G特性、V_th、g_mに著しい変化は見られず、ノーマリーオフ特性が維持されていた。発表では、さらに高線量域の実験結果について報告する。