[19p-PB6-1~9] 31.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[19p-PB6-4] NiO表面における電圧印加時の構造変化

〇甲賀 優希¹、長谷川 剛¹ (1.早大応物)

キーワード：抵抗変化メモリ