2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.1 作製・構造制御

[19p-PB7-1~16] 12.1 作製・構造制御

2019年9月19日(木) 16:00 〜 18:00 PB7 (第二体育館)

16:00 〜 18:00

[19p-PB7-7] シルセスキオキサン誘導体の高分子薄膜の作製

小川 大和1、臼井 博明1 (1.農工大院工)

キーワード:真空蒸着、薄膜、シルセスキオキサン誘導体

シルセスキオキサン誘導体はその特異的な構造から機械的強度・熱的安定性・高い誘電率などを持つ特徴的な機能素材である。本研究では真空蒸着法を用いてビニル基を持つシルセスキオキサン誘導体を蒸着することで高分子薄膜の作製を試みた。作製した薄膜をIR測定により評価したところ、重合が進行していることが明らかになり、真空蒸着による高分子薄膜が得られること見いだされた。