[19p-PB7-1~16] 12.1 作製・構造制御

[19p-PB7-9] 二酸化炭素を用いた超臨界溶体急速膨張（RESS）法によるPh-BTBT-10薄膜創製と特性評価

〇(M1)坂本 有衣¹、島村 一利²、内田 博久³ (1.金沢大院自然、2.金沢大総合技術部、3.金沢大理工)

キーワード：超臨界溶体急速膨張法、Ph-BTBT-10薄膜、有機薄膜トランジスタ

CO₂を用いた超臨界溶体急速膨張（RESS）法による高性能有機デバイス開発を目的として，高いキャリア移動度が報告されているPh-BTBT-10を用いて，RESS法による薄膜創製及びトランジスタ（TFT）の作製を試みた。得られた薄膜の表面状態，結晶特性及び電気的特性を検討した。得られた薄膜は，緻密かつ表面は平滑であり，基板に垂直及び水平方向に規則的な結晶構造を有しており，TFTの性能も良好であった。