[20a-B01-1~10] 23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

[20a-B01-4] SiC溶液成長における温度・流速の局所分布からの全体分布予測

〇高石 将輝¹、小山 幸典²、沓掛 健太朗^3,4、原田 俊太^1,4、田川 美穂^1,4、宇治原 徹^1,4,5 (1.名大院工、2.物材機構、3.理研AIP、4.名大未来研、5.産総研GaN-OIL)

キーワード：SiC溶液成長、機械学習

SiC溶液成長プロセスでは、溶液の温度や流れ分布の制御が結晶の高品質化に重要であり、溶液の熱流体解析が欠かせない。しかし、1回の熱流体解析は長時間を要するため、実験中に時々刻々と変化する溶液状態をリアルタイムに計算することは困難である。そこで本研究では、機械学習を活用し、ソフトセンサーのように実験中に観測できる部分的な溶液状態をもとに全体の溶液状態を予測することを目指した。