[20a-B01-1~10] 23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

[20a-B01-6] AlGaN/GaN HEMTのIV特性に対する機械学習

〇蜂谷 涼太¹、沓掛 健太朗^2,3、原田 俊太^1,2、田川 美穂^1,2、宇治原 徹^1,2,4 (1.名大院工、2.名大未来研、3.理研 AIP、4.産総研 GaN-OIL)

キーワード：機械学習

半導体デバイスの開発にはデバイスシミュレーションが活用されている。現状では多数の構造、物性パラメータの膨大な組み合わせから実験結果に一致する組み合わせを選択しているが精度や根拠に課題がある。そこで我々は、調整パラメータを入力とした機械学習モデルを作成し、実験結果に一致するパラメータの組合せを統計的に求める方法を提案する。