[20a-B31-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20a-B31-2] Hot-wire hydrogenation to In-Sn-Zn-O film and evaluation of the TFT reliability

〇Kousaku Shimizu¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:Oxide Semiconductor, Gap states, Reliability

ITZOに原子状水素照射による水素化を行った。 製膜後アニールと水素化後アニールを行い、素子のギャップ内準位、伝達特性を評価した。水素化処理後、表面をガラス基板で覆った状態でアニールした場合は、ON電流、移動度の上昇がみられ、しかもOFF電流も低下することがわかった。フィッティング評価した結果、原子状水素は、MIS界面にまで到達しており、バックチャネルのみならずMIS界面まで欠陥を補填している可能性が示唆された。