[20a-B31-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20a-B31-8] Reliability of oxide thin-film transistor toward sensor application

〇Yuki Hashima¹, Takanori Takahashi¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:amorphous oxide semiconductor, chemosensor

延長ゲート型構造を有するTFTはこれまでにセンサへの応用を目指した開発が行われている。本研究では実社会への応用を考え、高い信頼性を有する非晶質酸化物半導体材料（AOS）に注目した。AOSは移動度が容易に10 cm²/Vs 以上得られる為、デバイスの高集積化によるセンサアレイへの応用が容易である。本研究では延長ゲート上の電荷状態変化によるAOS-TFTの信頼性を評価しセンサ応用への適応を試みる。