[20a-B31-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20a-B31-7] Degradation phenomenon of reliability in high mobility oxide thin-film transistor

〇Takanori Takahashi¹, Mami N. Fujii¹, Miki Miyanaga², Juan Paolo Bermundo¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST, 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd.)

Keywords:oxide semiconductor, thin-film transistor, reliability

本研究では高移動度酸化物半導体In-W-Zn-Oを用いた薄膜トランジスタの直流および交流電圧による駆動時において、発光現象を伴う特異な信頼性劣化現象を観測した。