[20a-B31-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [20a-B31-9] Characteristics of oxide TFT using carbon-doped In₂O₃ thin films
by low-temperature ALD

〇Riku Kobayashi^1,2, Toshihide Nabatame², Kazunori Kurishima^2,3, Takashi Onaya^1,2,4, Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Takahiro Nagata², Kazuhito Tsukagoshi², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.WPI-MANA NIMS, 3.JSPS Research Fellow PD, 4.JSPS Research Fellow DC)

Keywords:oxide semiconductor

薄膜トランジスタ(TFT)のチャネル材料として用いられるIn₂O₃膜の作製方法として、原子層堆積(ALD)法が報告されている。しかし、as-grownのIn₂O₃膜は金属的な特性を示すためにO₂あるいはO₃ポストアニールがなされているが、そのプロセスは一般に高温であった。本研究では、150 ºCの低温ALD法で作製したCドープIn₂O₃ (In-O-C)膜をチャネル材料としたバックゲート型TFTを作製し、低温O₃アニールによるIn-O-Cチャネルの電気特性の変化について調べた結果を報告する。