2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[20a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:30 C309 (C309)

右田 真司(産総研)、吉村 武(阪府大)

09:15 〜 09:30

[20a-C309-2] 酸素分圧変化によるHfO2:Y/Si薄膜の配向と結晶構造の制御

佐保 勇樹1、鎌田 大輝1、高田 賢志1、桐谷 乃輔1、吉村 武1、芦田 淳1、藤村 紀文1 (1.阪府大工)

キーワード:HfO2、PLD、酸素分圧

PLD法を用いてHfO2:Y薄膜をSi基板上に作製した。酸素分圧を0.1~10mtorrの条件で作成した試料のX線回折2θ-ω測定の結果から1 mtorr以上の試料ではHfO2薄膜の(001)単一配向成長が、0.1 mtorrの試料では(111)方向への配向成長が確認できる。また、8.6×10-8 torrで成膜した試料のX線回折2θ-ω測定及びφスキャン測定の結果から (111)<110>HfO2:Y/Siの方位でHfO2:Y薄膜がエピタキシャル成長していることが確認できる。講演では、RHEEDによるその場観察の結果を用いてその成長過程を議論する。