[20a-C309-1~13] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [20a-C309-3] Characteristics of the Hf_0.5Zr_0.5O₂ Thin Films Grown by a Facing Target Sputtering Method

〇(M2)Taiki Kawamoto¹, Hiroshi Ota¹, Yuichi Hirofuji¹, Kazuto Koike¹, Mitsuaki Yano¹, Sadao Kazukura², Yutaka Nakamitsu³ (1.Osaka Inst.of Tech.,NMRC, 2.FTS Corporation, 3.ULVAC)

Keywords:Hf0.5Zr0.5O2, Facing target sputtering method, Structural characterization

酸化ハフニウム・ジルコニウム（HZO）薄膜は強誘電体メモリの候補材料として注目されている．今回我々は，プラズマダメージを抑制できる対向ターゲット式スパッタリング法でHZO薄膜を成膜した結果を報告する．基板にはTiN膜をコーティングしたSi(100)基板を用いた。400℃で加熱成膜した場合，安定相monoclinic構造が支配的になったが，室温成膜したアモルファス薄膜を600℃以上で熱処理すると強誘電相のorthorhombic構造が支配的になることがわかった．