2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[20a-C309-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:30 C309 (C309)

右田 真司(産総研)、吉村 武(阪府大)

11:00 〜 11:15

[20a-C309-8] [講演奨励賞受賞記念講演] ヘテロエピタキシャルYMnO3型ScFeO3薄膜の界面構造

浜嵜 容丞1、安井 伸太郎2、白石 貴久3、赤間 章裕3、木口 賢紀3、谷山 智康2、伊藤 満2 (1.防衛大、2.東工大、3.東北大)

キーワード:強誘電体、薄膜、YMnO3型構造

準安定相のYMnO3型ScFeO3をエピタキシャル成長させることで安定化させ、強誘電性、磁性、界面構造について調査した。YMnO3型ScFeO3薄膜は、強誘電性ヒステリシスループおよびTN=195 Kの弱強磁性を示した。また、界面層のSTEM観察結果からYMnO3型ScFeO3の安定化について議論を行う。