[20a-C310-1~12] 6.4 薄膜新材料

△ [20a-C310-12] Si-Agフラックスを用いたSiC結晶化過程のin situ XRD観察

〇山王堂 尚輝¹、丸山 伸伍¹、小金澤 智之²、松本 祐司¹ (1.東北大院工、2.高輝度光科学研セ)

キーワード：結晶化、SiC、in situ 観察

SiCの低温液相成長に向けて、SPring-8の放射光を用いたin situ 2D-XRDにより低融点のフラックスを用いたa-SiC薄膜の結晶化をその場観察した。その結果、1000℃以下の低温度域でSi-AgフラックスがSiC結晶化を促進することを見出した。また、低温液相成長に適するフラックスの条件を検討した。