[20a-C310-1~12] 6.4 Thin films and New materials

[20a-C310-3] Conductive metal-nitride thin films deposited by ECR sputtering

〇Yoshito Jin¹, Hironori Torii¹, Kozue Tanaka¹ (1.JSW AFTY)

Keywords:conductive metal-nitride thin film, electron cyclotron resonance sputtering

電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance: ECR)プラズマを用いたECRスパッタ法は、低ガス圧・高密度・低ダメージのECRプラズマの特長を活かし、基板上へのスパッタ成膜とプラズマ照射を同時の行うことで、高密度で化学量論的組成の薄膜を形成できる特長を持つ。これまで酸化膜、窒化膜、酸窒化膜が実用化され、高性能デバイスの高出力化・長寿命化・高制御性に貢献してきた。また、導電性酸化膜の検討も行われてきたが、導電性金属窒化膜の成膜特性は明らかとなっていなかった。そこで本検討では、ECRスパッタ法を用いたTiN、TaN、HfN、ZrNなどの導電性金属窒化膜の成膜を行い、成膜特性検討を行ったので報告する。