2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[20a-C310-1~12] 6.4 薄膜新材料

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:15 C310 (C310)

村岡 祐治(岡山大)、岩田 展幸(日大)

09:30 〜 09:45

[20a-C310-3] ECRスパッタ法による導電性金属窒化膜の形成

神 好人1、鳥居 博典1、田中 こずえ1 (1.JSWアフティ)

キーワード:導電性金属窒化膜、ECRスパッタ

電子サイクロトロン共鳴(Electron Cyclotron Resonance: ECR)プラズマを用いたECRスパッタ法は、低ガス圧・高密度・低ダメージのECRプラズマの特長を活かし、基板上へのスパッタ成膜とプラズマ照射を同時の行うことで、高密度で化学量論的組成の薄膜を形成できる特長を持つ。これまで酸化膜、窒化膜、酸窒化膜が実用化され、高性能デバイスの高出力化・長寿命化・高制御性に貢献してきた。また、導電性酸化膜の検討も行われてきたが、導電性金属窒化膜の成膜特性は明らかとなっていなかった。そこで本検討では、ECRスパッタ法を用いたTiN、TaN、HfN、ZrNなどの導電性金属窒化膜の成膜を行い、成膜特性検討を行ったので報告する。