[20a-E201-1~10] 17.3 層状物質

[20a-E201-1] MoS₂/h-BN/Graphite積層構造による不揮発性メモリデバイスの動作解析

〇佐々木 太郎¹、谷口 尚²、渡邊 賢司²、西村 知紀¹、長汐 晃輔¹ (1.東大工、2.物材機構)

キーワード：二次元層状材料、メモリ