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[20a-E201-2] 二次元超伝導体NbSe2におけるパウリ極限の角度依存性
キーワード:超伝導、遷移金属ダイカルコゲナイド、分子線エピタキシー法
ファンデアワールス物質の一つNbSe2では、超薄膜化による良質な二次元超伝導の発現、そこにおけるスピン軌道相互作用と連結したパウリ極限が注目を集めている。本研究では分子線エピタキシー法(MBE)を用いて超伝導NbSe2超薄膜を作製し、臨界磁場の角度依存性を調べた。この臨界磁場は面直、面内のそれぞれで起源が軌道極限とパウリ極限であるという特徴を有しているが、発表では得られた実験結果を示すとともに、パウリ極限を取り入れたGLモデルを提案することで実験結果を議論する。