[20a-E203-1~12] 7.5 イオンビーム一般

[20a-E203-7] Ar⁺イオンビームによるAgナノ粒子のスパッタリング

〇(M1)水谷 仁美¹、尾崎 孝一¹、高廣 克己¹、西山 文隆² (1.京工繊大、2.広大)

キーワード：イオンビーム、ナノ、スパッタリング

本研究では、SiO₂基板上に堆積させたAgナノ粒子に3ｰ30 keVのAr⁺イオンビームを照射し、そのスパッタリング収率を求めた。20ｰ30 keVのAr⁺照射の結果、平均粒径5ｰ30 nmの範囲で粒径の増加とともにスパッタリング収率が単調増加した。また、スパッタリング収率の照射エネルギー依存性を調べた結果、3ｰ30 keVの範囲で単調に増加し、ナノ粒子ではバルクと比較して急激に増加することが分かった。