2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

コードシェアセッション » 【CS.8】 10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)、10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術、10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術、10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

[20a-E216-7~13] 【CS.8】 10.1 新物質・新機能創成(作製・評価技術)、10.2 スピン基盤技術・萌芽的デバイス技術、10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術、10.4 半導体スピントロニクス・超伝導・強相関のコードシェアセッション

2019年9月20日(金) 10:45 〜 12:30 E216 (E216)

谷口 知大(産総研)

10:45 〜 11:00

[20a-E216-7] Current induced magnetization switching of W/CoFeB/MgO-based three terminal magnetic tunnel junctions via spin orbit torque

Shinji Isogami1、Youhei Shiokawa2、Atsushi Tsumita2、Tomohiro Taniguchi3、Seiji Mitani1、Tomoyuki Sasaki2、Masamitsu Hayashi1,4 (1.NIMS、2.TDK、3.AIST、4.Univ. of Tokyo)

キーワード:3T-MRAM, current induced spin orbit torque

We have studied the thermal stability factor (Δ) of three terminal MTJs using current and magnetic field induced magnetization switching. We find asymmetric Δ against the current flow direction, which is one of the characteristics we find for the SOT-induced magnetization switching.