[20a-E301-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20a-E301-2] ワイドバンドギャップ半導体素子における界面準位起因の新しい不安定現象

〇平岩 篤^1,4、堀川 清貴²、川原田 洋^1,2,3 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.早大材研、4.名大未来研)

キーワード：半導体、ワイドバンドギャップ、界面準位

定評あるSiO₂/Siを利用できないワイドバンドギャップ金属絶縁膜半導体型素子においては、界面準位低減が課題であり、従来は同素子のしきい値電圧変動・キャリア移動度の低下等初期特性に注目し検討されてきた。今回、高電圧下のオフ状態においては、発生したホールがこれら界面準位に捕獲される結果ゲート絶縁膜に大きな電圧が付加され、その結果過大なリーク電流や絶縁破壊の生ずることのあることを明らかにした。