[20a-E301-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[20a-E301-3] Temperature Coefficients of Schottky Barrier Heights for Homoepitaxial n-Type GaN SBDs with Various Metals and Impact of Thermal Treatment

〇Ryosuke Murase¹, Takuya Maeda², Kazutaka Kanegae^1,2, Jun Suda^1,3, Masahiro Horita^1,3 (1.Nagoya Univ., 2.Kyoto Univ., 3.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:SBD, barrier height, GaN

窒化ガリウム(GaN)は次世代電子デバイス材料として期待を集めており、各種の基礎データを整備することが重要である。中でも、障壁高さ(����_b)はショットキーバリアダイオード(SBD)の立ち上がり電圧や逆方向漏れ電流を決定する重要パラメーターである。これまで我々はNi およびAu 電極のSBD について、電気的特性から温度係数(d����_b/d��≡α )を詳細に評価し、どの試料においても・(1.7~2.4)×10^-4 eV/K とほぼ一定であることを報告した。本研究では、Pt およびPd 電極のSBD に対してαを評価し、さらにショットキー電極形成後の熱処理の有無によるαの違いについても調べたので報告する。