[20a-E302-1~13] 13.8 光物性・発光デバイス

[20a-E302-4] 埋め込みSiO2光閉じ込め構造とn型導電性AlInN/GaN DBRを有するGaN系VCSEL

〇(M2)飯田 涼介¹、村永 亘¹、上島 佑介¹、岩山 章¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大、2.名古屋大)

キーワード：半導体、VCSEL、GaN

既に実用化されている赤外領域のVCSELでは一般的になっている選択酸化法により横方向の光閉じ込めを実現している。さらには導電性DBRによる縦型注入構造である。この構造はGaAs系のVCSELでは一般的である。近年、GaN系VCSELにおいても横方向光閉じ込め構造によって大幅な特性改善が報告されている。今回、我々は埋め込みSiO2による光閉じ込め構造と導電性DBRを有するGaN系VCSELを作製し、評価した。