The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[20a-E303-1~5] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Fri. Sep 20, 2019 10:30 AM - 11:45 AM E303 (E303)

Kenji Yamaguchi(QST)

11:00 AM - 11:15 AM

[20a-E303-3] Application of BaSi2 film/Si to thermoelectric power generation

Takafumi Ishibe1, Jinichiro Chikada1, Suguru Yachi2, Yudai Yamashita2, Takuma Sato2, Takashi Suemasu2, Yoshiaki Nakamura1 (1.Osaka Univ., 2.Univ. of Tsukuba)

Keywords:Thermoelectric material, Silicide, Thin film

近年、IoT社会におけるセンサ用電源として、自立発電可能、小型、Siプラットフォームとの整合性の観点から、Si基板上薄膜熱電材料が注目されている。このBaSi2薄膜は、複雑結晶構造由来の極小熱伝導率を示すことから、高性能熱電材料としての可能性を秘める。しかし、Si基板上BaSi2薄膜の熱電性能に関する報告はない。本研究では、Si基板上BaSi2薄膜の熱電性能を評価し、他材料との比較検討を行い、有望な薄膜熱電材料であることを実証する。