2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20a-E303-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月20日(金) 10:30 〜 11:45 E303 (E303)

山口 憲司(量研機構)

11:00 〜 11:15

[20a-E303-3] 熱電発電応用に向けた Si 基板上 BaSi2 薄膜

石部 貴史1、近田 尋一郎1、谷内 卓2、山下 雄大2、佐藤 拓磨2、末益 崇2、中村 芳明1 (1.阪大院基礎工、2.筑波大院)

キーワード:熱電材料、シリサイド、薄膜

近年、IoT社会におけるセンサ用電源として、自立発電可能、小型、Siプラットフォームとの整合性の観点から、Si基板上薄膜熱電材料が注目されている。このBaSi2薄膜は、複雑結晶構造由来の極小熱伝導率を示すことから、高性能熱電材料としての可能性を秘める。しかし、Si基板上BaSi2薄膜の熱電性能に関する報告はない。本研究では、Si基板上BaSi2薄膜の熱電性能を評価し、他材料との比較検討を行い、有望な薄膜熱電材料であることを実証する。