[20a-E303-1~5] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[20a-E303-4] Evaluation of absorption coefficient of Mg₂Si and external quantum efficiency of the PD

〇Takeru Miyauchi¹, Fumiya Takahashi¹, Daisuke Niioka¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:Magnesium silicide, Silicide semiconductor

マグネシウムシリサイド(Mg₂Si)は禁制帯幅が室温で約0.6eVの間接遷移型半導体であることから、カットオフ波長約2µm帯の赤外受光素子として利用が期待されている。今回、ダブルビーム方式の分光光度計を用いた透過測定によりMg₂Siの吸収係数を広い波長範囲で評価し、その吸収係数をもとにMg₂Siフォトダイオードの外部量子効率を評価した。