[20a-E303-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20a-E303-4] Mg₂Siバルク単結晶を用いた吸収係数評価とPDの外部量子効率

〇宮内 壮流¹、高橋 史也¹、新岡 大介¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大工)

キーワード：マグネシウムシリサイド、シリサイド半導体

マグネシウムシリサイド(Mg₂Si)は禁制帯幅が室温で約0.6eVの間接遷移型半導体であることから、カットオフ波長約2µm帯の赤外受光素子として利用が期待されている。今回、ダブルビーム方式の分光光度計を用いた透過測定によりMg₂Siの吸収係数を広い波長範囲で評価し、その吸収係数をもとにMg₂Siフォトダイオードの外部量子効率を評価した。