[20a-E308-1~10] 12.2 評価・基礎物性

[20a-E308-9] 強束縛近似力場を用いた金ナノワイヤーの破断シミュレーション：引っ張り距離に対する電気伝導度ヒストグラムの計算

〇(M1)飛永 諒介¹、大戸 達彦¹、夛田 博一¹ (1.阪大院基礎工)

キーワード：金ナノワイヤー、MDシミュレーション

本研究では、分子動力学法を用いた金ナノワイヤーの破断シミュレーションを行った。力場にはTB-SMAを用い、ワイヤーの太さや温度を変えて引っ張り距離に対する電気伝導度の2次元ヒストグラムを計算した。電気伝導度はNMCSを用い、小さい負荷で近似的に計算した。実験測定に近い量子化伝導度のプラトーを持つ2次元ヒストグラムが観測され、強束縛近似によりナノスケールの金を高精度で再現していることが分かった。