2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 E311 (E311)

松下 雄一郎(東工大)

09:00 〜 09:15

[20a-E311-1] SiO2/Al2O3絶縁膜を有する3C-SiC n-MOSキャパシタとn-MOSFET動作

山本 圭介1、岡 龍誠1、王 冬1、中島 寛2、菱木 繁臣3、川村 啓介2,3 (1.九大総理工、2.九大GIC、3.エア・ウォーター)

キーワード:3C-SiC、MOS capacitor、MOSFET