2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 E311 (E311)

松下 雄一郎(東工大)

09:45 〜 10:00

[20a-E311-4] 局所DLTS法を用いたマクロステップを有するSiCにおける界面準位密度分布の測定

保坂 杏奈1、山末 耕平1、Judith Woerle2,3、Corrado Bongiorno4、Gabriel Ferro5、Ulrike Grossner2、Massimo Camarda2,3、長 康雄1 (1.東北大通研、2.ETH Zurich、3.Paul Scherrer Institute、4.CNR-IMM、5.リヨン大)

キーワード:走査型非線形誘電率顕微鏡、局所DLTS、SiC

SiCはパワーデバイス用の優れた特性を持つ新規半導体材料として注目を集めており,SiC-MOSFETのチャネル移動度向上に向けて,SiO2/SiC界面における界面準位密度(Dit)の低減は重要な課題である.そこで本研究では,異なる面方位をもつテラスとマクロステップを有するSiO2/SiCのDit分布を走査型非線形誘電率顕微鏡(SNDM)を応用した局所DLTS法を用いて観察した.その結果,マクロステップにおけるDitはテラスの2倍程度の値を持つことが分かった.