PDF ダウンロード スケジュール 36 いいね！ 3 コメント (0) 10:00 〜 10:15 △ [20a-E311-5] 光照射C-V測定による窒化SiO2/SiC界面における深い準位の評価 〇(D)立木 馨大1、鐘ヶ江 一孝1、木本 恒暢1 (1.京大院工) キーワード：SiC、MOSFET
