[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20a-E311-6] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した
4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析

〇松谷 優汰¹、張 旭芳¹、岡本 大¹、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大数物)

キーワード：3レベルチャージポンピング、電界効果トランジスタ、界面近傍酸化膜トラップ

4H-SiC パワー MOSFETは高密度の界面準位が課題となっている。高性能なデバイスを開発するためには、正確な界面特性を評価することが重要である。MOSFETを用いた界面準位評価法にチャージポンピング(CP)法がある。3レベルチャージポンピング(3L-CP)法では通常の2レベルCP法より界面準位に関する多くの情報が得られる。今回、SiC MOSFETの3L-CP特性について界面近傍酸化膜トラップを考慮した解析を行い、界面準位の捕獲断面積の導出を行った。