10:15 〜 10:30 △ [20a-E311-6] 界面近傍酸化膜トラップを考慮した4H-SiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性の解析 〇松谷 優汰1、張 旭芳1、岡本 大1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大数物)