2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20a-E311-1~11] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年9月20日(金) 09:00 〜 12:00 E311 (E311)

松下 雄一郎(東工大)

11:15 〜 11:30

[20a-E311-9] NO窒化後のCO2熱処理によるSiC MOSFETの閾値電圧安定性向上

細井 卓治1、大迫 桃恵1、伊藤 滉二2、志村 考功1、木本 恒暢2、渡部 平司1 (1.阪大工、2.京大工)

キーワード:SiC、MOSFET、信頼性

NO窒化後にCO2雰囲気中熱処理を行うにより、SiO2/SiC界面の窒素量を制御し、SiC MOSFETのバイアス温度ストレスに対する閾値電圧安定性を高めることができることを示した。