[20a-E312-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

△ [20a-E312-4] 窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性

〇松本 翼¹、桜井 海匡¹、山河 智哉¹、加藤 宙光²、牧野 俊晴²、小倉 政彦²、竹内 大輔²、山崎 聡^1,2、猪熊 孝夫¹、德田 規夫^1,2 (1.金沢大、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、移動度

リンドープボディを用いて、反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを実現し、10¹⁰を超える高いオンオフ比やノーマリーオフ特性を示した。しかし、バルクの高いキャリア移動度を反映した高い電界効果移動度μ_FEは得られていない。高いμ_FEを実現するため、ドーピング濃度制御や表面構造制御の研究を独自に進めてきた窒素ドープボディを用いて、反転層チャネルダイヤモンドMOSFETを作製、評価し、リンドープボディのMOSFETと比較した。