10:00 〜 10:15 △ [20a-E312-4] 窒素ドープボディを用いた反転層ダイヤモンドMOSFETの特性 〇松本 翼1、桜井 海匡1、山河 智哉1、加藤 宙光2、牧野 俊晴2、小倉 政彦2、竹内 大輔2、山崎 聡1,2、猪熊 孝夫1、德田 規夫1,2 (1.金沢大、2.産総研)