[20a-E319-1~7] 6.5 表面物理・真空

[20a-E319-4] GaAs(110)表面上のMnAs単分子膜のスピン状態への歪効果

〇平山 基¹ (1.阿南高専)

キーワード：半導体、表面、スピントロニクス

GaAs(110)表面上のMnAs単分子膜のスピン状態への歪の効果について調べた。スピン密度汎関数理論に基づく第一原理擬ポテンシャル計算によって構造安定性および電子・スピン状態について調べた。[110]方向に隣り合うMn間のスピン結合が強磁性の全エネルギーと反強磁性の全エネルギーのエネルギー差を評価したところ、強磁性結合が安定となり、+3%のとき強磁性結合が最も安定となった。